Sáng 29-7-2015, Intel đã tổ chức một buổi Press Webcast giới thiệu công nghệ mới cho giới media công nghệ thế giới do ông Rob Crooke, Phó Chủ tịch cấp cao và Tổng giám đốc Nhóm Giải pháp Bộ nhớ Bất khả biến (Non-Volatile Memory) của Tập đoàn Intel, và ông Scott DeBoer, Phó Chủ tịch Nghiên cứu và Phát triển của Công ty Micron, làm diễn giả. Họ công bố một cuộc đột phá mang tính cách mạng vê công nghệ bộ nhớ mà cả hai công ty đã đạt được sau hơn một thập niên cùng nhau hợp tác nghiên cứu. Đó là công nghệ bộ nhớ 3D XPoint được giới thiệu là nhanh hơn bộ nhớ NAND Flash 1.000 lần, bền hơn NAND Flash 1.000 lần và có mật độ dày đặc hơn bộ nhớ truyền thống 10 lần. Nó cũng là một loại bộ nhớ bất khả biến như bộ nhớ Flash, vẫn lưu giữ dữ liệu sau khi ngắt điện (khác bộ nhớ RAM truyền thống hễ tắt nguồn là xóa sạch dữ liệu).

Đây là một cột mốc mới trong công nghệ bộ nhớ vốn được coi là phát triển cực kỳ khó khăn và chậm chạp như rùa lật ngửa. Công nghệ bộ nhớ mới nhất trước đó ra đời cách nay cũng đã 31 năm, kể từ khi hãng Toshiba giới thiệu bộ nhớ Flash vào năm 1984, ban đầu là NOR Flash và tới năm 1989 phát triển thêm dạng thứ hai là NAND Flash. Bộ nhớ DRAM mà chúng ta đang xài trong các máy tính hay thiết bị di động chào đời từ năm 1966 lận.

Ở 3D XPoint, với cấu trúc điểm ghép nối (crosspoint structure), các mạch chọn (selector) cho phép đóng gói với mật độ dày đặc và có thể truy xuất riêng rẽ tới các bit thông tin. Các lớp bộ nhớ có thể được sắp xếp theo kiểu thức 3D. Công nghệ mới tạo được những tiến bộ đột phá về vật liệu chế tạo các memory cell và công tắc chuyển mạch có thể tương thích. Kiến trúc các ngăn bộ nhớ (cell) và mảng bộ nhớ (array) trong công nghệ 3D XPoint có thể chuyển mạch các trạng thái nhanh gấp 1.000 lần bộ nhớ NAND Flash.

Công nghệ bộ nhớ 3D Xpoint sẵn sàng cho các ứng dụng tương lai với những ưu thế: lưu trữ dữ liệu bên trong bộ nhớ với dung lượng lớn, khôi phục hệ thống nhanh, có độ trễ thấp, sức bền bỉ cao. Nó sẽ giúp những người dùng cuối có được những trải nghiệm kỳ thú mới với những ứng dụng về game, nhận diện các mô thức độ nét cao, các nghiên cứu về hệ gien,…

Theo lộ trình, các chip bộ nhớ 3D XPoint sẽ được sản xuất tại nhà máy liên doanh Intel – Micron tại bang Utah (Mỹ).

Chắc chắn trong giai đoạn đầu, cũng giống như với bộ nhớ Flash khi mới ra đời và kéo dài tới tận ngày nay vẫn chưa dứt cơn, do giá thành rất đắt, bộ nhớ 3D XPoint sẽ chỉ được ứng dụng trong các thiết bị chuyên dụng và những lĩnh vực đặc biệt. Khách hàng tiềm năng và thật sự có nhu cầu về loại bộ nhớ siêu nhanh, siêu bền này là các công ty dịch vụ video game trực tuyến. Nhưng chính sự ra đời của 3D XPoint sẽ giúp giảm giá của các ổ cứng thể rắn SSD, kéo theo là nỗi ngậm ngùi thêm đau thương của ổ đĩa cứng HDD truyền thống. Nó cũng chỉ cạnh tranh với bộ nhớ Flash mà không chọc ghẹo gì tới bộ nhớ DRAM – loại bộ nhớ ông già chống gậy tuy lớn tuổi và to con hơn nhưng lại chạy nhanh hơn nhiều lần và rẻ hơn một trời một vực. Đó là lý do mà cho tới nay và còn dài dài sắp tới, cặp bài trùng Intel và Micron vẫn tiếp tục tập trung vào phát triển tiếp bộ nhớ Flash.

PHẠM HỒNG PHƯỚC

(Saigon 29-7-2015)

+ Ảnh cắt từ cuộc webcast sáng 29-7-2015 mà tôi được may mắn tham dự.